單晶硅石墨熱場的缺點有哪些

單晶硅石墨熱場在單晶硅成長中雖占有重要位置，但存在易熱震開裂、純度操控難、大標準成型受限、涂層易掉落、熱場穩(wěn)定性差等缺陷，具體分析如下：
      熱震開裂風險：石墨在重復(fù)高溫熱震下易產(chǎn)生裂紋，導致部件破損乃至安全事故。例如，石墨加熱器在高溫下與SiO反應(yīng)會縮短使用壽命，而裂紋的存在會改變熱傳導功能，影響拉晶功率和晶體質(zhì)量。
      純度操控應(yīng)戰(zhàn)：石墨件揮發(fā)的雜質(zhì)或降解顆?；蛟S污染硅熔體，影響晶體質(zhì)量。雖然高純度石墨（純度可達99.99%以上）可削減污染，但制備大直徑產(chǎn)品時純度要求更高，本錢也明顯上升。
      大標準成型受限：傳統(tǒng)石墨熱場在制備大直徑產(chǎn)品時成型困難，且純度要求高導致制備本錢昂揚、生產(chǎn)環(huán)節(jié)多、周期長。例如，36英寸以上石墨熱場零部件的制作本錢和加工本錢均較高。
      涂層易掉落問題：石墨資料與碳化硅的熱膨脹系數(shù)不同，導致涂層簡略掉落。而碳/碳復(fù)合資料與碳化硅的熱膨脹系數(shù)挨近，灰分更低，更適合作為熱場資料。
      熱場穩(wěn)定性不足：石墨熱場設(shè)計不合理時，對稱性差且加熱功率高，糟蹋能源。一起，熱場梯度分布的穩(wěn)定性直接影響單晶硅的成長質(zhì)量，石墨熱場在此方面體現(xiàn)欠佳。

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